NTMFS4837N
1000
V GS = 20 V
Single Pulse
250
225
I D = 22 A
100
T C = 25 ° C
200
175
150
10
1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
dc
10 m s
100 m s
10 ms
100 ms
100
125
100
75
50
25
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward ? Biased
Safe Operating Range
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs,
Starting Junction Temperature
100
25 ° C
100 ° C
125 ° C
10
1
1
10
100
1000
PULSE WIDTH ( m s)
Figure 13. EAS vs. Pulse Width
http://onsemi.com
5
相关PDF资料
NTMFS4839NT3G MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
NTMFS4841NT3G MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
NTMFS4845NT3G MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL
NTMFS4846NT3G MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL
NTMFS4847NAT3G MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
NTMFS4849NT3G MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
NTMFS4851NT3G MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
NTMFS4852NT1G MOSFET N-CH 30V 16A SO8 FL
相关代理商/技术参数
NTMFS4837NT3G 功能描述:MOSFET NFET 30V 16A 5MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4839N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 66 A, Single N−Channel, SO−8FL
NTMFS4839NH 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N−Channel, SO−8FL
NTMFS4839NHT1G 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4839NHT3G 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4839NT1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 66A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4839NT3G 功能描述:MOSFET NFET 30V 66A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4841N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 57 A, Single N−Channel, SO−8FL